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No hay artículos en el carro BOJACK IRF540N MOSFET es un transistor de efecto de campo que puede ser
ampliamente utilizado en circuitos analógicos y circuitos digitales.
Parámetros básicos:
El IRF540N está disponible en un paquete TO-220AB
Resistencia en estado (Rds(on): 0,04 ohm.
Medición de voltaje Rds: 10 V.
Voltaje VGS más alto: 10 V.
Número de puntadas: 3.
Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C.
Junta de resistencia térmica a la caja A: 1,1 °C/W
Voltaje Vds típico: 100 V.
Id de corriente continua: 27 A.
Pulso de Idm de corriente: 110 A.
Dispositivo de montaje en superficie: montaje de orificio pasante.
Protección del medio ambiente sin plomo.
Lowell Vanhook
Comentado en los Estados Unidos el 12 de septiembre de 2022
not tested
Russell Mebane
Comentado en los Estados Unidos el 24 de marzo de 2021
The box it comes in does not prevent ESD, so all the FETs were DOA.
Hayden O.
Comentado en los Estados Unidos el 28 de enero de 2021
Used them right out of box, have not had any issues
JH
Comentado en los Estados Unidos el 7 de diciembre de 2020
I've bought these a couple of time and they seem to hold well.
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